SK Hynix به تازگی نمونهبرداری از حافظه نسل بعدی HBM4E را آغاز کرده است که دارای ظرفیت 48 گیگابایت و سرعت 16 گیگابیت بر ثانیه است.
افزایش تقاضا برای تراشههای هوش مصنوعی، تولیدکنندگان DRAM را وادار کرده تا برنامههای توسعه خود را تسریع بخشند. در این راستا، SK Hynix در حال رقابت با رقیب خود، سامسونگ، برای ارائه اولین راهحلهای حافظه HBM4E به شرکای خود است که قصد استفاده از آن را برای تأمین نیروی مراکز داده نسل آینده دارند.
حافظه HBM4E به عنوان یکی از اجزای کلیدی برای مراکز داده نسل بعدی شناخته میشود. این حافظه به تراشههای سنگین مانند NVIDIA Rubin Ultra و AMD Instinct MI500 قدرت میدهد که میتواند تأثیر زیادی در بخش هوش مصنوعی داشته باشد. این دو پلتفرم تراشه احتمالاً منابع مالی بالایی را در بخش هوش مصنوعی فراهم خواهند کرد و تولیدکنندگان DRAM از آنها به شدت پشتیبانی میکنند.
نمونهبرداری از حافظه HBM4E با فاصله کمی پس از نمایشگاه Computex 2026 آغاز شده است. در این نمایشگاه، SK Hynix نسل جدید HBM4E را با ظرفیت 48 گیگابایت و سرعتهایی تا 16 گیگابیت بر ثانیه به نمایش گذاشت. سامسونگ نیز در این نمایشگاه به معرفی فناوریهای خود از جمله HBM4E و HBM5 با استفاده از HPB (Heat Path Block) پرداخت.
حافظه HBM4E که از فناوری پیشرفته MR-MUF استفاده میکند، با ظرفیت 48 گیگابایت در یک ساختمان 12 لایه قرار دارد و به دلیل ساختار پایدار آن از مقاومت حرارتی بهتری برخوردار است. عملکردها و کارایی انرژی این حافظه به طور محسوس بهبود یافته و میتواند سرعت پردازش دادهها را برای آموزش و پیشبینی هوش مصنوعی افزایش دهد. این حافظه با طراحی و بهینهسازی جدید خود، تأخیر انتقال دادهها را کاهش میدهد و در محیطهای با پهنای باند بالا به طور پایدار عمل میکند.
SK Hynix ابراز کرده است که با همکاری نزدیک با شرکای خود، به تولید انبوه این حافظه در زمان مناسب خواهد پرداخت. به خوبی به نظر میرسد که این شرکت با بهرهگیری از تجربه خود در تولید و تأمین HBM3، HBM3E و HBM4، به طور مؤثری به توسعه زیرساختهای نسل آینده کمک خواهد کرد و با در نظر گرفتن چالشها و موانع در سیستمهای هوش مصنوعی، به دنبال رفع آنها است.
منبع: Wccftech — لینک
زمان انتشار منبع: 18 جوئن 2026